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外延片清洗機-CSE

發布時間： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造領域，濕法設備占據約40%以上的工藝，隨著工藝技術的不斷發展，濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備，如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產工藝，現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備設備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封，具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制，功能強大，操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商華林科納（江蘇）半導體設備有限公司 www.beesell.cn 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網（www.beesell.cn），現在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。

旋轉式噴鍍臺-CSE

發布時間： 2017 - 12 - 06

旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點，在6＂（150mm）晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、Ｎ２保護單元組成的陰極回轉體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下：從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出，采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射，實現攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證，鍍液入口采用扇形噴咀式結構，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理，由于結構上的特點，該方法經實驗驗證具有：①結構簡單；②工藝參數控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統，目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用，產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標：最...

雙腔甩干機

發布時間： 2016 - 06 - 22

雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨，並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統l 控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...

枚葉式清洗機-華林科納CSE

發布時間： 2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數非常少（到25nm可對應）例：附著粒子數…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據每個客戶可以定制）液體濺射（塵埃強制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網（www.hlkncas.com），現在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

自動供酸系統（CDS）-CSE

發布時間： 2016 - 03 - 07

自動供酸系統（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導體CSE-CDS自動供酸系統適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式設備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內：酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材，內部管路及組件采PFA 451 HP 材質；4. 系統為采以化學原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統；2. 操作模式： CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制，操作介面以流程方式執行，兼具自動化與親和力。在...

單片清洗機CSE

發布時間： 2018 - 01 - 23

單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應用領域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進封裝等設備名稱CSE-單片清洗機類型單片式適用領域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機）2、節約成本（藥液循環利用，消耗量遠低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關設備可以關注華林科納（江蘇）半導體官網，關注http://www.beesell.cn ,400-8768-096，18913575037

氫氟酸HF自動供液系統-CSE

發布時間： 2017 - 12 - 06

氫氟酸HF自動供液系統-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導體CSE-氫氟酸供液系統適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式設備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內：酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材，內部管路及組件采PFA 451 HP 材質；4. 系統為采以化學原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統；2. 操作模式： CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制，操作介面以流程方式執行，兼具自動化...

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外延片清洗機-CSE

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氫氟酸HF自動供液系統-CSE

晶片凸點電鍍設備-CSE

晶片凸點電鍍設備-華林科納（江蘇）CSE 傳統的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后，送到封裝廠進行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無論是雙列直插封裝（DIP），還是四邊引線扁平封裝（QFP），封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機等便攜式裝置的體積很小，所以要求器件的體積越小越好，像有300多個引出端的液晶顯示器（LCD）驅動電路，必須采用WLP的芯片尺寸封裝（CSP）。有些特殊的高頻器件，為了減小引線電感的影響，要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下，華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點，例如金凸點、焊料凸點、銦凸點，然后直接倒裝焊在相應的基板上。更多晶圓電鍍設備可以關注華林科納（江蘇）半導體設備官網www.beesell.cn；現在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設備的相關方案

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IPA干燥系統設備-CSE

IPA干燥設備-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工太陽能電池片分立器件 GPP等行業中晶片的沖洗干燥工藝，單臺產量大，效率高設備名稱華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規格工藝時間：一般親水性晶圓片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量：任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點：干燥后無斑點IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 設備制造商華林科納（江蘇）半導體設備有限公司 www.beesell.cn 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系統組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網（www.beesell.cn），現在熱線咨詢0513- 87733829可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

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酸/堿刻蝕機

刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術，一般是借助等離子體中產生的粒子轟擊刻蝕區，它是各向異性的刻蝕技術，即在被刻蝕的區域內，各個方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學反應過程去除待刻蝕區域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機中進行，腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動，浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡，上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分，腐蝕時間可以調整，直到二氧化硅腐蝕干凈為止；3、沖純水；4、甩干。二氧化硅腐蝕機理為：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的絡合物，利用這個性質可以很容易通過光刻工藝實現選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩定的腐蝕速率，腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區的氧化層較發射區的厚，以前小功率三極管的三次光刻（引線孔光刻）一般基極光刻和發射極光刻分步光刻，現在大部分都改為一步光刻，只有少部分品種還分步光刻，比如2XN003，2XN004，2XN013，2XP013等...

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高溫磷酸清洗機

設備名稱：高溫磷酸清洗機設備型號：CSE-SZ2011-16整機尺寸：約2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）節拍：根據實際工藝時間可調清洗量：批量清洗時，采用提籃裝片，單次清洗圓片的數量要求如下2＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于25片4＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于20片6＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于20片框架材料:優質10mm瓷白PP板機殼，優質碳鋼骨架，外包3mmPP板防腐機臺底部：廢液排放管路，防漏液盤結構機臺支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且通過可調式地腳，可高低調整及鎖定功能DIW上水管路及構件采用日本積水CL-PVC管材，排水管路材質為PP管排風：位于機臺后上部工作照明：上方防酸型照明臺面板為優質10mmPP板（帶有圓形漏液孔，清除臺面殘留液體）附件：水、氣槍左右各兩套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制；安全保護裝置： ●設有EMO(急停裝置)， ●強電弱點隔離 ●設備三層防漏托盤傾斜漏液報警設備整體置于防漏托盤內臺面布置圖：各槽工藝參數

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芯片鍍金設備-CSE

芯片鍍金設備-華林科納（江蘇）CSE 晶圓電鍍工藝在半導體、MEMS、LED 和 WL package 等領域中應用非常廣泛。華林科納（江蘇）的晶圓電鍍設備針對這些應用研發和生產的，對所有客戶提供工藝和設備一體化服務。產品分生產型和研發型兩大類，適合不同客戶的需求。設備名稱華林科納（江蘇）CSE-芯片鍍金設備應用領域：半導體、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具體應用：電鍍、電鑄工藝類型：電鍍Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圓尺寸：8inch或以下尺寸，單片或多片基本配置：操作臺（1套），主電鍍槽（2套），腐蝕槽（2套），清洗（1套）設備功能和特點（不同電鍍工藝配置有所差異） 1. 產品名稱：芯片鍍金設備 2. 產品系列：CSE-XL3. 晶圓尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系統，內置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料：勞士領PP 6. 四面溢流設計 7. 溫度控制系統：70+/-1C 8. 循環過濾出系統，流量可調。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽極 11. 陰極擺動裝置，頻率可調。 12. 陽極均化裝置。 13. 防氧化系統。 14. 充N2裝置。 15. 排風操作臺，風量可調。 16. 活化腐蝕系統。 17. 三級清洗系統。 18. 電鍍液體系：均為無氰電鍍液體系。 19. 工藝：表面均勻，厚度1-100um，均勻性5% 設備制造商華林科納（江蘇）半導體設備有限公司 www.beesell.cn 400-8768-096 ；18913575037更多晶圓電鍍設備可以關注華林科納（江蘇）半導體設備官網w...

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